2022知到答案 现代半导体器件及先进制造 最新完整智慧树知到满分章节测试答案

第一章 单元测试

1、 问题:本征硅的费米能级位于：（ ）
选项：
A:
B:
C:略偏向
D:略偏向
答案: 【
略偏向
】

2、 问题:硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）
选项：
A:硅的晶体结构将发生改变
B:电子浓度大于空穴浓度
C:空穴浓度大于电子浓度
D:与磷掺杂硅的导电类型一致
答案: 【
空穴浓度大于电子浓度
】

3、 问题:抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
选项：
A:倾斜衬底
B:升高衬底温度
C:降低离子注入能量
D:衬底表面沉积非晶薄膜
答案: 【
倾斜衬底
升高衬底温度
衬底表面沉积非晶薄膜
】

4、 问题:制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
选项：
A:外延生长法
B:直拉法
C:氧化还原法
D:区域熔融法
答案: 【
直拉法
区域熔融法
】

5、 问题:当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第二章 单元测试

1、 问题:对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（ ）。
选项：
A:Vg继续增加，Id不会继续增大
B:沟道中漏极一侧的电位为0
C:Vg≥Vd+Vth
D:
答案: 【
Vg继续增加，Id不会继续增大
沟道中漏极一侧的电位为0
Vg≥Vd+Vth
】

2、 问题:沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。
选项：
A:阈值电压增大
B:器件的漏极电流增大
C:器件的可靠性劣化
D:器件的集成度增加
答案: 【
器件的漏极电流增大
器件的可靠性劣化
器件的集成度增加
】

3、 问题:有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ）
选项：
A:
B:
C:温度升高，亚阈值摆幅增大
D:亚阈值摆幅的单位是mV
答案: 【
亚阈值摆幅的单位是mV
】

4、 问题:有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（ ）
选项：
A:仅与器件的结构参数有关
B:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
C:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
D:与器件的沟道长度呈正比
答案: 【
沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
】

5、 问题:MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第三章 单元测试

1、 问题:下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（ ）
选项：
A:由台积电的工程师林本坚发明
B:能够减小光的波长
C:能够增大物镜的数值孔径
D:在目镜和衬底间填充水
答案: 【
由台积电的工程师林本坚发明
能够减小光的波长
能够增大物镜的数值孔径
】