2022知到答案 电子技术基础Ⅰ（模拟部分） 最新完整智慧树知到满分章节测试答案

第一章 单元测试

1、 问题:对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。
选项：
A:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态
B:雪崩击穿属于电击穿
C:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的
D:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
答案: 【
齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的
】

2、 问题:2AP9表示的是（ ）。
选项：
A:18世纪30年代到18世纪末
B:18世纪60年代到18世纪末
C:18世纪60年代到19世纪上半期
D:18世纪70年代到19世纪中期
答案: 【
18世纪30年代到18世纪末
】

3、 问题:对二极管模型的描述不正确的是（ ）。
选项：
A:二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大
B:二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V
C:二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA
D:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
答案: 【
二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
】

4、 问题:如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
选项：
A:-10V
B:-8V
C:-12V
D:0V
答案: 【
0V
】

5、 问题:如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
选项：
A:500Ω，1W
B:500Ω，1/8W
C:600Ω，1W
D:600Ω，1/8W
答案: 【
600Ω，1/8W
】

第二章 单元测试

1、 问题:晶体三极管形成原理描述不正确的是（ ）。
选项：
A:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低
B:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高
C:到达基区的电子很容易穿过集电结
D:到达基区的空穴很容易穿过发射结
答案: 【
由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高
】

2、 问题:对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（ ）。
选项：
A:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流
B:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压
C:放大电路的输出信号电流一般是几毫安
D:放大电路的输出功率一般是瓦特级
答案: 【
放大电路的输出功率一般是瓦特级
】

3、 问题:对共基极放大电路特性描述不正确的是（ ）。
选项：
A:放大电路的输出信号与输入信号同相
B:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高
C:输出电阻大，带负载能力较差
D:由于无结电容影响，常用于放大高频信号
答案: 【
输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高
】

4、 问题:对多级放大电路性能描述不正确的是（ ）。
选项：
A:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积
B:多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的输入电阻
C:多级放大电路的输出电阻为最后一级放大电路的输出电阻
D:多级放大电路的频带带宽比任何一级放大电路的频带带宽都窄
答案: 【
多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积
】

5、 问题:已知b = 100，RS= 1 kW，RB1= 62 kW，RB2= 20 kW, RC= 3 kW，RE = 1.5 kW，RL= 5.6 kW，VCC = 15 V。则静态工作点 分别为：（ ）。
选项：
A:20μA，2mA,6V
B:10μA，1mA,10.5V
C:30μA，3mA, 6V
D:15μA，1.5mA, 6V
答案: 【
20μA，2mA,6V
】

第三章 单元测试

1、 问题:测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。
选项：
A:饱和区
B:截止区
C:可变电阻区
D:预夹断临界点
答案: 【
饱和区
】