第一章 单元测试

1、 问题:本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是( )
选项:
A:自由电子数目增加,空穴数目不变。
B:空穴数目增加,自由电子数目不变。
C:自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
D:自由电子和空穴数目不变。
答案: 【
自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。

2、 问题:P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了( )
选项:
A:空穴
B:三价元素
C:五价元素
D:正离子
答案: 【
三价元素

3、 问题:二极管在反向截止区的反向电流( )。
选项:
A:随反向电压升高而升高
B:随反向电压升高而急剧升高
C:基本保持不变
D:随反向电压升高而减小
答案: 【
基本保持不变

4、 问题:二极管2AP9表示N型材料的( )
选项:
A:整流管
B:普通管
C:稳压管
D:开关管
答案: 【
普通管

5、 问题:硅二极管的正向导通电压是( )
选项:
A:0.7V
B:0.3V
C:0.5V
D:0.1V
答案: 【
0.7V

6、 问题:稳压二极管起稳压作用时,一般工作在特性曲线的 ( ) 区。
选项:
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:死区
答案: 【
反向击穿

7、 问题:交通信号灯采用的是 ( ) 二极管。
选项:
A:光电
B:发光
C:变容
D:稳压
答案: 【
发光

8、 问题:二极管是具有单向导电的特性。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

9、 问题:PN结正偏是指N区结电源正极,P区结电源负极。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

10、 问题:二极管反向饱和电流越小,说明二极管的截止性能越好。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第二章 单元测试

1、 问题:整流的目的是( )。
选项:
A:将交流电变成直流电
B:将正弦波变成方波
C:将高频信号变成低频信号
D:将低频信号变成高频信号
答案: 【
将交流电变成直流电

2、 问题:单相桥式整流电容滤波电路中,变压器次级电压为10V(有效值),则滤波后的直流输出电压为( )。
选项:
A:4.5V
B:9V
C:12V
D:20V
答案: 【
12V

3、 问题:

单相桥式整流电容滤波电路中,在电路中电容和负载是( )的。

选项:
A:串联
B:并联
C:短接
D:开路
答案: 【
并联

4、 问题:单相桥式整流电路中,每个二极管的导通角度是( )。
选项:
A:30度
B:60度
C:90度
D:180度
答案: 【
180度

5、 问题:单相半波整流电路中,电源利用率是( )。
选项:
A:30%
B:50%
C:90%
D:100%
答案: 【
50%

6、 问题:单相桥式整流电路中,输出电压与变压器副边电压的关系是( )。
选项:
A:UO=0.45U2
B:UO=U2
C:UO=0.9U2
D:UO=1.2U2
答案: 【
UO=0.9U2

7、 问题:单相桥式整流电容滤波电路中,如果测得输出电压等于变压器次级电压,则电路( )。
选项:
A:其中一个二极管被击穿
B:四个二极管都接反了
C:电容击穿了
D:负载断开了
答案: 【
其中一个二极管被击穿

8、 问题:整流主要是利用二极管的单向导电特性。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

9、 问题:单相桥式整流电路中四个二极管是同时导通,同时截至的。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

10、 问题:整流输出电压加电容滤波后,电压波动性减小,故输出电压也下降。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第三章 单元测试

1、 问题:晶体管工作在放大区时的偏置状态为( )
选项:
A:b与e极,b与 c极间均正向偏置
B:b与e极,b与 c极间均反偏
C:b与e极间正偏,b与c极间反偏
D:b与e极间反偏,b与c极间正偏
答案: 【
b与e极间正偏,b与c极间反偏

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