2024智慧树网课答案 芯片基础–模拟集成电路设计 最新完整智慧树知到满分章节测试答案

第一章 单元测试

1、 问题:

跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

2、 问题:

模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

3、 问题:

模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

4、 问题:

CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

5、 问题:

MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

6、 问题:

相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

7、 问题:

片上系统，又称SOC，其英文全称是：

选项：
A:

System on Chip

B:

System of computer

C:

Separation of concerns 

D:

System Operations Center

答案: 【

System on Chip

】

8、 问题:

 互补金属氧化物半导体，英文简称CMOS，其英文全称为：

选项：
A:

Cargo Machine Of  Semiconductor

B:

Complementary Metal Oxide Semiconductor

C:

Complementary Machine Of Semiconductor

D:

Complementary Metal Oxide System 

答案: 【

Complementary Metal Oxide Semiconductor

】

9、 问题:

模拟数字转换器, 英文简称ADC, 英文全称为：

选项：
A:

Ambulance to Digital Converter 

B:

Analog-to- Destination Converter 

C:

Ambulance to Destination Converter 

D:

Analog-to-Digital Converter 

答案: 【

Analog-to-Digital Converter 

】

第二章 单元测试

1、 问题:

MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

2、 问题:

如果一个电路的最高电压是，最低电压是，那么NMOS器件的衬底应该接。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

3、 问题:

一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。

选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

4、 问题:

下列关于MOS版图说法不正确的是（）

选项：
A:

栅极的接触孔应该开在沟道区外

B:

版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

C:

源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则

D:

版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

答案: 【

版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

】

5、 问题:

下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）

选项：
A:

NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压

B:

在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压

C:

当时，NMOS器件导通

D:

若，则 NMOS器件关断

答案: 【

若，则 NMOS器件关断

】

6、 问题:

下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）

选项：
A:

当时，NMOS器件工作在截止区

B:

当，并且NMOS器件工作在线性区

C:

当_，时，NMOS器件工作在饱和区

D:

当时，且时，NMOS器件工作在深线性区

答案: 【

当时，NMOS器件工作在截止区

当，并且NMOS器件工作在线性区

当_，时，NMOS器件工作在饱和区

】

7、 问题:

下列对器件尺寸参数描述正确的有（）

选项：
A:

L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

B:

tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

C:

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

D:

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox

答案: 【

L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

】

8、 问题:

下列关于体效应的说法，正确的是（）

选项：
A:

改变衬底电势可能会产生体效应。

B:

不改变衬底电势也可能会产生体效应。

C:

源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。

D:

体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

答案: 【

改变衬底电势可能会产生体效应。

不改变衬底电势也可能会产生体效应。

源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。

体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

】

9、 问题:

下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）

选项：
A:

亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数

B:

MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计

C:

MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在

D:

当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

答案: 【

亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数

MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计

MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在

当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

】

10、 问题:

下列关于MOS模型的说法正确的有（）

选项：
A:

MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立

B:

当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算

C:

MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数

D:

MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

答案: 【

MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立

当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算

MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数

MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

】

第三章 单元测试

1、 问题:

下列关于放大的说法，正确的是（）

选项：
A:

在大多数模拟电路和许多数字电路中，放大是一个基本功能。

B:

我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载，或者不能克服后继的噪声

C:

放大不能为数字电路提供逻辑电平。

D:

放大在反馈系统中起着重要作用。

答案: 【

在大多数模拟电路和许多数字电路中，放大是一个基本功能。

我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载，或者不能克服后继的噪声

放大在反馈系统中起着重要作用。

】