2017 集成电路制造工艺(江苏信息职业技术学院)1002350049 最新满分章节测试答案

本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2017-09-14到2018-01-10
本篇答案更新状态:已完结

【作业】第一章 集成电路制造工艺的发展与工艺流程 第一章单元作业

1、 问题:集成电路的定义和概念是什么？‍
评分规则: 【 评分指导：该题目主要考查‍集成电路的概念，要求学生回答准确、严谨、完备。具体得分标准：集成电路是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶圆片（典型的是硅片）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。
】

2、 问题:摩尔定律主要的内容表述是什么？‍
评分规则: 【 评分指导：该题目主要考查学生是否理解掌握摩尔定律的主要内容。要求内容意思正确、完整即可得分。具体得分要求：‍摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的集成电路性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。
】

3、 问题:双极型集成电路的工艺流程中，常采用外延工艺和埋层结构，主要原因是什么？
评分规则: 【 评分指导：该题目主要考查学生是否理解掌握双极型集成电路的制造工艺流程，意思正确、完整即可得分。具体得分要求：采用外延工艺，主要用来制备外延层，由于该区域将作为双极型晶体管的集电区，为提高晶体管的击穿电压和耐压能力，采用低掺杂高阻的外延层材料，可以较好地解决此问题。
埋层结构的制作：为提高器件的击穿电压，外延层选择高阻低掺杂，但这造成了集电极串联电阻增大，管子的饱和压降将增大，使电路的输出低电平升高，负载能力及抗干扰能力降低。为解决两者之间的矛盾，在外延层底部制作高掺杂的埋层，为集电极电流提供低阻通路，减小集电极的串联电阻，改善器件性能。
】

第一章 集成电路制造工艺的发展与工艺流程 第一章单元测验

1、 问题:双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是‍ ‍，其次制备的是‍ ‍，最后制备的是‍ ，依次为：‍
选项：
A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 【集电区、基区、发射区】

2、 问题:‍集成电路，按照功能可以分为‍ ‍。
选项：
A:双极型集成电路、MOS集成电路‍
B:数模混合集成电路
C:数字集成电路
D:模拟集成电路
答案: 【数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路】

3、 问题:‍集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有‍ ‍。
选项：
A:外延隔离‍
B:埋层隔离
C:PN结隔离
D:介质隔离
答案: 【PN结隔离;
介质隔离】

4、 问题:集成电路制造中常采用隔离技术，其主要作用是‍ ‍。
答案: 【实现集成电路中电子元器件彼此之间的绝缘，做到彼此隔离开来，不会相互影响和干扰。】

5、 问题:特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，特征尺寸主要指的是‍ ‍。
答案: 【(以下答案任选其一都对)集成电路制造工艺上实现的最小特征线宽。;
集成电路制造工艺上实现的最小特征线宽，通常也指集成电路中半导体器件的最小尺寸。】
分析：【教材 P5 相关知识点介绍】

【作业】第二章 薄膜制备 第二章 单元作业

1、 问题:热氧化有哪几种方法？它们的原理和优缺点是什么？
评分规则: 【 干氧氧化、（湿氧氧化）水汽氧化、掺氯氧化、高压氧化、氢氧合成氧化，每个氧化名称1分，共5分，每个原理和特点1分，共5分
】

2、 问题:简要叙述几种CVD的方法及其原理和特点？
评分规则: 【 APCVD、LPCVD、PECVD，三种方法名称共3分，每个1分，原理和特点每个2分，共6分，回答齐全详细，加1分
】

3、 问题:简要叙述几种PVD方法及其原理和特点？
评分规则: 【 蒸发、溅射，每个名词1分，蒸发分电子束蒸发和真空电阻蒸发（1分），溅射分直流溅射、射频溅射、磁控溅射（2分），蒸发的原理和特点（2），溅射的原理和特点（3分）
】

4、 问题:简要叙述几种常见的外延技术及其特点？
评分规则: 【 气相外延、分子束外延、金属有机物化学气相淀积（或外延），每个1分，共3分，特点每个2分，共6分，回答齐全详细加1分
】

5、 问题:影响热氧化速率的因素有哪些？简要说明怎样影响的？
评分规则: 【 氧化方法（机制）、温度、压力、掺杂、晶向，5个因素每个1分，怎样影响的做好说明，每个1分
】

第二章 薄膜制备 第二章 单元测验

1、 问题:几种热氧化方法中，哪种生长的薄膜结构最致密，纯度最高
选项：
A:干氧氧化
B:水汽氧化
C:湿氧氧化
D:掺氯氧化
答案: 【干氧氧化】

2、 问题:在半导体生产中，常常采用的二氧化方式是干-湿-干氧化，湿氧氧化的作用是
选项：
A:得到较好的表面特性
B:较短的时间得到较厚的薄膜
C:较好的硅/二氧化硅界面特性
D:提高氧化膜的质量
答案: 【较短的时间得到较厚的薄膜】

3、 问题:集成电路中具有比较好的身宽比填充能力，可以作为插塞的金属是
选项：
A:钨
B:铜
C:铝
D:钛
答案: 【钨】

4、 问题:集成电路电极引出的地方，通常采用重掺杂，目的是
选项：
A:形成肖特基接触
B:形成欧姆接触
C:解决铝尖刺
D:解决电迁移
答案: 【形成欧姆接触】

5、 问题:以下各种方法中，不是制备金属的常用方法的是
选项：
A:电阻丝加热蒸发
B:电子束蒸发
C:溅射
D:氧化
答案: 【氧化】

6、 问题:外延生长硅常用的方法是
选项：
A:MOCVD
B:MBE
C:VPE
D:PVD
答案: 【VPE】

7、 问题:要产生2000埃厚度的二氧化硅，需要消耗多少厚度的
选项：
A:8800埃
B:88埃
C:8.8埃
D:880埃
答案: 【880埃】

8、 问题:电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备，多了下面哪一个部件
选项：
A:偏转电子枪
B:灯丝
C:硅片
D:磁场
答案: 【偏转电子枪】

9、 问题:气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质是
选项：
A:HF
B:HCl
C:Cl2
D:CF4
答案: 【HCl】

10、 问题:PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是
选项：
A:温度比较低
B:薄膜制备的纯度比较高
C:淀积速度比较快
D:淀积的薄膜结构比较致密
答案: 【温度比较低】

11、 问题:以下方法中不是常见的溅射方法的是
选项：
A:磁控溅射
B:直流溅射
C:射频溅射
D:刻蚀溅射
答案: 【刻蚀溅射】

12、 问题:外延层薄膜厚度测试方法是
选项：
A:层错法
B:四探针法
C:磨角法
D:滚槽法
答案: 【层错法】

13、 问题:以下因素中哪些不是影响外延生长速率的因素
选项：
A:反应温度
B:四氯化碳的浓度
C:衬底晶向
D:抛光速度
答案: 【抛光速度】

14、 问题:以下各项中哪些不是外延层常见的表面缺陷
选项：
A:角锥体
B:层错