第一章 单元测试

1、 问题:低电平噪声容限NML表达式为（ ）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【

】

2、 问题:对于反相器的电压传输特性（VTC），下面描述错误的是（ ）。
选项：
A:输入为低电平时，输出为高电平
B:输入为高电平时，输出为低电平
C:门的开关阈值VM为VDD/2
D:VIH和VIL定义为VTC增益等于-1的点
答案: 【
门的开关阈值VM为VDD/2
】

3、 问题:对于一个由N个反相器构成的环振电路（N为奇数），若反相器的传播延时为tp，那么电路的震荡周期T的表达式为（ ）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【

】

4、 问题:一个理想的反相器具有如下哪些特性（ ）。
选项：
A:在过渡区有无限大的增益
B:门的阈值位于逻辑摆幅的中点
C:高电平和低电平噪声容限均等于电压摆幅的一半
D:理想门的输入和输出阻抗分别为无穷大和零
答案: 【
在过渡区有无限大的增益
门的阈值位于逻辑摆幅的中点
高电平和低电平噪声容限均等于电压摆幅的一半
理想门的输入和输出阻抗分别为无穷大和零
】

5、 问题:数字电路的噪声容限应当大于0，并且越大越好。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第二章 单元测试

1、 问题:在晶圆表面形成多晶硅通常采用哪种工艺步骤（ ）。
选项：
A:扩散工艺
B:化学气相淀积
C:离子注入
D:溅射工艺
答案: 【
化学气相淀积
】

2、 问题:淀积金属层时，需要晶圆表面保持适度的平整，表面平坦化通常需要哪种工艺（ ）。
选项：
A:等离子刻蚀
B:溅射工艺
C:化学机械抛光
D:退火工艺
答案: 【
化学机械抛光
】

3、 问题:压焊技术的主要缺点有（ ）。
选项：
A:导线的连接必须一个接一个依次进行，随着引线数目的增加会使制造时间较长
B:较多的引线数目使设计一个能避免线间短路的压焊形式更加困难
C:由于制造过程和不规则的出线使寄生参数的确切值很难预测
D:压焊线具有较高的自感以及与相邻信号线之间的互感
答案: 【
导线的连接必须一个接一个依次进行，随着引线数目的增加会使制造时间较长
较多的引线数目使设计一个能避免线间短路的压焊形式更加困难
由于制造过程和不规则的出线使寄生参数的确切值很难预测
压焊线具有较高的自感以及与相邻信号线之间的互感
】

4、 问题:以下哪些工艺步骤属于光刻工艺（ ）。
选项：
A:涂光刻胶
B:光刻机曝光
C:显影与烘干
D:化学机械抛光
答案: 【
涂光刻胶
光刻机曝光
显影与烘干
】

5、 问题:封装的冷却效率取决于包括封装衬底和主体在内的封装材料的热阻、封装的结构以及在封装和冷却介质之间热传导的效率。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第三章 单元测试

1、 问题:发生闩锁效应会使CMOS电路（ ）。
选项：
A:失效或烧毁
B:寄生电容增大
C:饱和电流降低
D:阈值电压升高
答案: 【
失效或烧毁
】

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